本发明公开了一种具有低导通电阻的高速自举开关，包括一个输入端口IN，用于接收输入电压；一个输出端口OUT，用于输出电压；电源电压VDD、时序开关CLK、反向时钟电压CLKR和CLKRB，共同用于控制电路的时序通断；13个NMOS晶体管以及2个PMOS晶体管、四个电容；高速自举开关整体包含时钟倍增电路、电荷泵电路、开关电路。本发明通过时钟倍增与电荷泵的结合，使开关MOS管栅源差从基本的VDD提高到2VDD，进而降低开关管导通电阻，提升开关管电压冗余度，实现优越的自举开关工作性能及高采样速率。