本发明公开了一种硫化亚锗多晶薄膜及其制备方法，及含有该硫化亚锗多晶薄膜的太阳能电池。所述硫化亚锗多晶薄膜厚度为400～800nm，我们在传统的近空间快速升华法基础上增加了晶种层预沉积和后步原位退火(三步法)制得，该过程运行简单且连贯，可通过调节氮气和气泵的开关顺序得以实现，并利用两步磁控溅射法和高温硒化得到了适合沉积硫化亚锗的基底。所述太阳能电池中p型层材料硫化亚锗(GeS)是一种价格低廉且环境友好的半导体光电材料，其带隙为1.73eV左右，覆盖了大部分可见光光谱，且吸光系数高达105cm‑1，因此采用其做为吸收层构成的薄膜太阳能电池将具有极大的应用前景。