一种生长高质量SiC单晶的装置及生长方法，它属于碳化硅晶体生长技术领域。本发明要解决的是SiC单晶有瑕疵的问题。本发明装置包括坩埚主体，所述的坩埚主体外侧设置有保温层，坩埚主体的坩埚上盖粘贴籽晶，坩埚主体的中部设置有上层石墨板，坩埚主体的下部设置有下层石墨板，坩埚主体的底部装有硅粉，保温层的外侧设置有石英管，石英管外侧上部环绕上部感应线圈，石英管外侧中部环绕中部感应线圈，石英管外侧下部环绕下部感应线圈。生长原料由纯度不低于10ppm的硅粉以及石墨片组成，实现了无其他杂质掺杂可能，配合新热场以及坩埚能够得到质量较高，生长均匀的SiC单晶。