场效应型晶体管的制造方法及无线通信装置的制造方法

发明授权

CN112868091B 场效应型晶体管的制造方法及无线通信装置的制造方法有权

专利标题： 场效应型晶体管的制造方法及无线通信装置的制造方法
申请号： CN201980068099.X

申请日： 2019-10-02
公开(公告)号： CN112868091B

公开(公告)日： 2024-04-09
发明人: 清水浩二 , 堀井新司 , 村濑清一郎
申请人： 东丽株式会社
申请人地址： 日本东京都
专利权人： 东丽株式会社
当前专利权人： 东丽株式会社
当前专利权人地址： 日本东京都
代理机构： 北京市金杜律师事务所
代理商 杨宏军
国际申请： PCT/JP2019/038919 2019.10.02
国际公布： WO2020/080109 JA 2020.04.23
进入国家日期： 2021-04-15
主分类号： H01L21/336
IPC分类号： H01L21/336 ; C01B32/159 ; C01B32/174 ; H01L29/786 ; H10K10/46 ; H10K71/60 ; H10K85/20 ; H10K85/00

摘要：

本发明的目的在于特性偏差被抑制的FET、及以简单制备该FET的制造方法制备该FET，主旨在于，关于设置在基板上的栅电极、栅极绝缘层、源电极及漏电极中的一种或多种进行物理量的测定，在进行半导体层的形成中以基于所述物理量所确定的半导体材料的涂布量进行涂布，进行半导体层的形成。

公开/授权文献

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334	....制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335	.....场效应晶体管
H01L21/336	......带有绝缘栅的