- 专利标题： 一种高性能氮化硅陶瓷基片的批量化烧结方法
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申请号： CN202110075093.4申请日： 2021-01-20
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公开(公告)号： CN112811912B公开(公告)日： 2021-11-02
- 发明人: 张辉 , 刘学建 , 蒋金弟 , 姚秀敏 , 黄政仁 , 陈忠明 , 黄健
- 申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 申请人地址： 上海市长宁区定西路1295号
- 专利权人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 当前专利权人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 当前专利权人地址： 上海市长宁区定西路1295号
- 代理机构： 上海瀚桥专利代理事务所
- 代理商 曹芳玲; 郑优丽
- 主分类号： C04B35/584
- IPC分类号： C04B35/584 ; C04B35/645 ; C04B35/638 ; C04B35/65
摘要：
本发明涉及一种高性能氮化硅陶瓷基片的批量化烧结方法，包括：（1）将氮化硅陶瓷基片素坯叠放在氮化硼坩埚中，且在相邻氮化硅陶瓷基片素坯之间涂敷一层氮化硼粉体；（2）分步骤抽真空后，在氮气气氛或还原性气氛中、500～900℃下进行脱粘；（3）然后在氮气气氛中、1800～2000℃下气压烧结，实现高性能氮化硅陶瓷基片的批量化制备。
公开/授权文献
- CN112811912A 一种高性能氮化硅陶瓷基片的批量化烧结方法 公开/授权日：2021-05-18
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