- 专利标题： 一种轻质高导热、低介电损耗的氟树脂/h-BN复合介质材料及其制备方法
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申请号： CN201911001863.X申请日： 2019-10-21
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公开(公告)号： CN112759869B公开(公告)日： 2022-05-10
- 发明人: 林慧兴 , 彭海益 , 姚晓刚 , 张奕 , 何飞 , 顾忠元 , 赵相毓 , 姜少虎
- 申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 申请人地址： 上海市长宁区定西路1295号
- 专利权人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 当前专利权人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 当前专利权人地址： 上海市长宁区定西路1295号
- 主分类号： C08L27/18
- IPC分类号： C08L27/18 ; C08K3/38 ; C08K9/06 ; B32B15/085 ; B32B15/082 ; B32B15/20 ; B32B27/20 ; B32B27/30 ; B32B27/32 ; C09K5/14
摘要：
本发明涉及一种轻质高导热、低介电损耗的氟树脂/h‑BN复合介质材料及其制备方法，所述氟树脂/h‑BN复合介质材料包括：氟树脂基材、和分布于所述氟树脂基材中的微波介质陶瓷粉体h‑BN；所述微波介质陶瓷粉体h‑BN的含量为10～50wt%，优选20～35wt%。该复合材料在保留优良介电性能的前提下具备良好的加工性能，可满足新一代通讯材料的要求。
公开/授权文献
- CN112759869A 一种轻质高导热、低介电损耗的氟树脂/h-BN复合介质材料及其制备方法 公开/授权日：2021-05-07
