- 专利标题: 低电阻高透过率低粗糙度的银纳米线复合电极及其制备方法和应用
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申请号: CN202011525346.5申请日: 2020-12-22
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公开(公告)号: CN112652721B公开(公告)日: 2022-11-01
- 发明人: 谢志元 , 吴江 , 刘鹤
- 申请人: 中国科学院长春应用化学研究所
- 申请人地址: 吉林省长春市朝阳区人民大街5625号
- 专利权人: 中国科学院长春应用化学研究所
- 当前专利权人: 中国科学院长春应用化学研究所
- 当前专利权人地址: 吉林省长春市朝阳区人民大街5625号
- 代理机构: 长春众邦菁华知识产权代理有限公司
- 代理商 周蕾
- 主分类号: H01L51/42
- IPC分类号: H01L51/42 ; H01L51/44 ; H01L51/48
摘要:
本发明涉及一种低电阻高透过率低粗糙度的银纳米线复合电极及其制备方法和应用,本发明的复合电极使用氧化锡水胶体和银纳米线作为墨水组分制备的薄膜构成,使用乙醇胺进行表面修饰,在乙醇胺修饰后,电极变得更加稳定。表面粗糙度降低,电阻保持在20欧姆以下,透光率在90%以上。实验证明经过乙醇胺修饰后,电极表面富集的羟基通过脱水反应消除。从而提升了薄膜的稳定性以及使用薄膜制备的有机聚合物薄膜太阳能电池的性能。取得了和ITO电极相当的器件性能和能量转换效率。同时解决了ITO电极弯折性不好以及造价高昂的问题。因此本发明所制备的柔性银纳米线复合电极完全可以取代ITO电极,在有机光电器件领域取得更加广泛的应用。
公开/授权文献
- CN112652721A 低电阻高透过率低粗糙度的银纳米线复合电极及其制备方法和应用 公开/授权日:2021-04-13
IPC分类: