- 专利标题： 一种二维层状CuInP2S6半导体材料及其制备方法
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申请号： CN202011364529.3申请日： 2020-11-27
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公开(公告)号： CN112520716B公开(公告)日： 2022-11-01
- 发明人: 何军 , 王枫梅 , 余鹏
- 申请人： 国家纳米科学中心
- 申请人地址： 北京市海淀区中关村北一条11号
- 专利权人： 国家纳米科学中心
- 当前专利权人： 国家纳米科学中心
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区中关村北一条11号
- 代理机构： 北京路浩知识产权代理有限公司
- 代理商 盛大文
- 主分类号： C01B25/08
- IPC分类号： C01B25/08 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00
摘要：
本发明提供一种二维层状CuInP2S6半导体材料及其制备方法，所述制备方法包括：1)在碳纤维的表面负载CuInSx纳米晶；所述CuInSx纳米晶由溶剂热合成；2)将步骤1)中负载的CuInSx纳米晶与硫、磷进行化学气相反应，得到二维层状CuInP2S6半导体材料。本发明提供的方法能够制备大面积、高质量的新型二维层状CuInP2S6纳米片和微米片，所述方法制备工艺简单，操作便捷且成本低。
公开/授权文献
- CN112520716A 一种二维层状CuInP2S6半导体材料及其制备方法 公开/授权日：2021-03-19
