本发明公开了一种硅基OLED面板的制备方法，包括步骤：S1、制作阳极金属层；S2、涂胶显影，形成R像素lift off结构；S3、蒸镀R材料和阴极金属层；S4、涂胶显影，形成G像素lift off结构；S5、蒸镀G材料和阴极金属层；S6、涂胶显影，形成B像素lift off结构；S7、蒸镀B材料和阴极金属层；S8、光刻胶剥离；S9、涂胶制作平坦层；S10、灰化形成PDL层；S11、蒸镀整面共阴极金属层。本发明的硅基OLED面板的制备方法，采用黄光工艺制备OLED蒸镀用自对准结构，能实现PPI 2000以上的RGB独立自主发光，大大提高整体显示亮度和分辨率。