- 专利标题: 低体阻聚酰亚胺及其制备方法和应用、聚酰亚胺薄膜及其制备方法
-
申请号: CN202011196423.7申请日: 2020-10-30
-
公开(公告)号: CN112266478B公开(公告)日: 2023-05-12
- 发明人: 王胜林 , 黎厚明 , 龚世铭
- 申请人: 深圳市道尔顿电子材料有限公司
- 申请人地址: 广东省深圳市光明新区光明街道招商局光明科技园B3栋4C单元
- 专利权人: 深圳市道尔顿电子材料有限公司
- 当前专利权人: 深圳市道尔顿电子材料有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省深圳市光明新区光明街道招商局光明科技园B3栋4C单元
- 代理机构: 北京超凡宏宇专利代理事务所
- 代理商 王闯
- 主分类号: C08G73/10
- IPC分类号: C08G73/10 ; C08J5/18 ; C08L79/08
摘要:
本发明提供一种低体阻聚酰亚胺及其制备方法和应用、聚酰亚胺薄膜及其制备方法。低体阻聚酰亚胺,其原料包括哌嗪单体化合物,所述哌嗪单体化合物的结构通式为:低体阻聚酰亚胺的制备方法包括:将包括所述哌嗪单体化合物和第一溶剂在内的原料混合得到混合物,进行第一反应得到聚酰胺酸;将包括所述聚酰胺酸和脱水剂在内的物料混合,进行亚胺化反应得到所述低体阻聚酰亚胺。聚酰亚胺薄膜,使用所述的低体阻聚酰亚胺制得。聚酰亚胺薄膜的制备方法包括:将包括所述低体阻聚酰亚胺和第二溶剂在内的物料混合,然后加工得到所述聚酰亚胺薄膜。低体阻聚酰亚胺的应用,用于制备电子产品。本申请提供的低体阻聚酰亚胺,体阻值及面阻值低。
公开/授权文献
- CN112266478A 低体阻聚酰亚胺及其制备方法和应用、聚酰亚胺薄膜及其制备方法 公开/授权日:2021-01-26