本发明公开了一种适用于中低温条件的高效脱汞(Hg0)光催化剂及其制备方法。首先通过高暴露(001)晶面的TiO2(001)制备核壳结构的g‑C3N4@TiO2，再将CeO2高度分散地负载在g‑C3N4@TiO2上，显著提高Ce原子的利用效率，从而制备出具有高光催化除汞活性的CeO2‑g‑C3N4@TiO2。在50～250℃下，本催化剂表现出优异的光催化除Hg0性能，且催化性能长期保持稳定。本发明中的光催化剂制备方法简单且重复性强，原材料价格低廉且环保，具有很强的实用价值和应用潜力。