- 专利标题： 一种FPGA芯片的RAM存储区单粒子效应容错方法
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申请号： CN202010932131.9申请日： 2020-09-08
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公开(公告)号： CN112181709B公开(公告)日： 2022-11-11
- 发明人: 崔玉 , 周华良 , 郑玉平 , 叶海 , 王海全 , 张家森 , 姜雷 , 甘云华 , 李友军 , 刘拯
- 申请人： 国电南瑞科技股份有限公司 , 国电南瑞南京控制系统有限公司 , 国网江苏省电力有限公司 , 国家电网有限公司华东分部 , 国家电网有限公司 , 南瑞集团有限公司 , 国网电力科学研究院有限公司
- 申请人地址： 江苏省南京市江宁区诚信大道19号; ; ; ; ; ;
- 专利权人： 国电南瑞科技股份有限公司,国电南瑞南京控制系统有限公司,国网江苏省电力有限公司,国家电网有限公司华东分部,国家电网有限公司,南瑞集团有限公司,国网电力科学研究院有限公司
- 当前专利权人： 国电南瑞科技股份有限公司,国电南瑞南京控制系统有限公司,国网江苏省电力有限公司,国家电网有限公司华东分部,国家电网有限公司,南瑞集团有限公司,国网电力科学研究院有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省南京市江宁区诚信大道19号; ; ; ; ; ;
- 代理机构： 南京苏高专利商标事务所
- 代理商 柏尚春
- 主分类号： G06F11/10
- IPC分类号： G06F11/10 ; G06F11/14
摘要：
本发明公开了一种FPGA芯片的RAM存储区单粒子效应容错方法，通过压缩冗余方式实现了全存储区任意比特的单粒子效应错误检测，并基于流水线方式对单位长度数据进行校验码计算，在单个时钟周期内完成校验码生成与比较，达到数据的快速检错与即时纠错目的。本发明所述方法消耗的硬件资源少，实时性能较高，适用于FPGA芯片存储区数据的错误恢复，可提高设计可靠性，进而保证了电力二次设备系统的运行性能与可靠性。
公开/授权文献
- CN112181709A 一种FPGA芯片的RAM存储区单粒子效应容错方法 公开/授权日：2021-01-05
