本发明涉及一种高密度集成有源电容，属于电子技术领域。该高密度集成有源电容的沟槽两侧设置有覆盖耗尽区的源区，为沟槽电容负极板提供反型层载流子，为形成于沟槽与耗尽区之间的沟槽电容以及耗尽区与P型衬底之间的耗尽电容分别提供电极引出，改变内部电容的连接方式，将串联电容转变成并联电容，从而使得本发明的有效电容比现有技术中不具备源区的电容大得多，大幅提高了电容密度，适用于各种集成电路，且本发明的高密度集成有源电容可采用标准制程，生产制造方便，成本相对低廉。