发明授权
- 专利标题： 一种高导热氮化硅陶瓷材料及其制备方法
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申请号： CN202011043063.7申请日： 2020-09-28
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公开(公告)号： CN112159237B公开(公告)日： 2021-10-01
- 发明人: 曾宇平 , 王为得 , 左开慧 , 夏咏锋 , 姚冬旭 , 尹金伟 , 梁汉琴
- 申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海硅酸盐研究所中试基地
- 申请人地址： 上海市长宁区定西路1295号;
- 专利权人： 中国科学院上海硅酸盐研究所,上海硅酸盐研究所中试基地
- 当前专利权人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 当前专利权人地址： 上海市长宁区定西路1295号;
- 代理机构： 上海瀚桥专利代理事务所
- 代理商 曹芳玲; 郑优丽
- 主分类号： C04B35/593
- IPC分类号： C04B35/593 ; C04B35/622
摘要：
本发明涉及一种高导热氮化硅陶瓷材料及其制备方法，所述氮化硅陶瓷材料的原料组成包括α‑Si3N4和烧结助剂；所述烧结助剂为稀土金属氧化物和金属镁；所述稀土金属氧化物为Y2O3、Yb2O3、Gd2O3、Ce2O3、Sm2O3、La2O3、Tm2O3、Lu2O3、Nd2O3、Er2O3和Sc2O3中的至少一种，所述金属镁为单质Mg。
公开/授权文献
- CN112159237A 一种高导热氮化硅陶瓷材料及其制备方法 公开/授权日：2021-01-01
IPC分类:
