Invention Publication
- Patent Title: 复合型碳硅阴极基材的制造方法及由该制造方法所制成的复合型碳硅阴极基体
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Application No.: CN201910505503.7Application Date: 2019-06-12
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Publication No.: CN112086624APublication Date: 2020-12-15
- Inventor: 赖鸿政 , 林正崧 , 张曾隆
- Applicant: 识骅科技股份有限公司
- Applicant Address: 中国台湾台北市重庆南路一段57号12楼之6
- Assignee: 识骅科技股份有限公司
- Current Assignee: 识骅科技股份有限公司
- Current Assignee Address: 中国台湾台北市重庆南路一段57号12楼之6
- Agency: 北京汇智英财专利代理事务所
- Agent 郑玉洁
- Main IPC: H01M4/36
- IPC: H01M4/36 ; H01M4/38 ; H01M4/48 ; H01M4/62

Abstract:
本发明是一种复合型碳硅阴极基材的制造方法及由该制造方法所形成的复合型碳硅阴极基体,该复合型碳硅阴极基体包括第一阶碳硅球,包括多个石墨烯片、多个奈米级硅与氧化硅的复合单体及多个第一高分子材质;该第一高分子材质作为黏着剂用于连结该多个石墨烯片及该多个奈米级硅与氧化硅的复合单体;其中该多个石墨烯片、该多个奈米级硅与氧化硅的复合单体及该多个第一高分子材质之间形成多个缓冲空隙;第二高分子材质层包覆在该第一阶碳硅球的外部;该第二高分子材质层经过烧结,使得醣类产生碳化,以增加整体复合型碳硅阴极基体的结构能力;以及多个奈米碳管紧紧包裹该第二高分子材质层,其具有的紧束作用,使得其内部的该第一阶碳硅球不易膨胀。
Public/Granted literature
- CN112086624B 复合型碳硅负极基材的制造方法及由该制造方法所制成的复合型碳硅负极基体 Public/Granted day:2022-11-29
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