- 专利标题： 一种晶体硅光伏电池的I-V特性拟合曲线确定方法
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申请号： CN202010940983.2申请日： 2020-09-09
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公开(公告)号： CN112084657B公开(公告)日： 2022-06-10
- 发明人: 师楠 , 朱显辉 , 王书侠 , 苏勋文 , 汤旭日 , 吕品 , 吴禹衡
- 申请人： 黑龙江科技大学
- 申请人地址： 黑龙江省哈尔滨市松北区浦源路2468号
- 专利权人： 黑龙江科技大学
- 当前专利权人： 黑龙江科技大学
- 当前专利权人地址： 黑龙江省哈尔滨市松北区浦源路2468号
- 代理机构： 北京正华智诚专利代理事务所
- 代理商 李林合
- 主分类号： G06F30/20
- IPC分类号： G06F30/20 ; G06F17/18
摘要：
本发明公开了一种晶体硅光伏电池的I‑V特性拟合曲线确定方法，以晶体硅光伏电池为对象，提出一种只需根据光伏电池自带的数据手册中的数据，无需求解超越方程和任何实测数据，以两条2阶Bezier函数分别对晶体硅光伏电池I‑V特性曲线最大功率点左右两侧进行简单拟合的方法，通过找出Bezier函数曲线控制点位置与晶体硅光伏电池填充因子之间的线性规律，进而给出满足工程精度要求晶体硅光伏电池的I‑V特性拟合曲线。
公开/授权文献
- CN112084657A 一种晶体硅光伏电池的I-V特性拟合曲线确定方法 公开/授权日：2020-12-15
