- 专利标题: 一种提升MEMS传感器环境适应性的智能自校准控制方法
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申请号: CN202010871880.5申请日: 2020-08-26
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公开(公告)号: CN112067032B公开(公告)日: 2023-01-31
- 发明人: 申强 , 杨登锋 , 孙静 , 常洪龙
- 申请人: 西北工业大学 , 西北工业大学太仓长三角研究院
- 申请人地址: 陕西省西安市友谊西路127号;
- 专利权人: 西北工业大学,西北工业大学太仓长三角研究院
- 当前专利权人: 西北工业大学,西北工业大学太仓长三角研究院
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市友谊西路127号;
- 代理机构: 西安凯多思知识产权代理事务所
- 代理商 云燕春
- 优先权: 2020100082280 20200106 CN
- 主分类号: G01D18/00
- IPC分类号: G01D18/00
摘要:
本发明涉及一种提升MEMS传感器环境适应性的智能自校准控制方法,属于微机电系统领域。该方法由两级期望最大化方法组成,在第一级期望最大化方法中,基于小带宽的滤波器识别环境中具有短时间持续且强度剧烈的外部扰动,估计出相应偏差;在第二级期望最大化方法中,将缓慢变化的内部扰动与真值耦合到传感器确定的偏差上,选取大带宽的滤波器以匹配内部扰动的特性,然后分别识别和估计相应的扰动参数和真值。本发明通过一种可变期望最大化方法,基于扰动参数的不同特性改变平滑带宽,逐级进行状态估计与扰动辨识的同步迭代优化处理,抑制环境扰动对MEMS传感器产生的偏差,有效提升MEMS传感器的环境特性。
公开/授权文献
- CN112067032A 一种提升MEMS传感器环境适应性的智能自校准控制方法 公开/授权日:2020-12-11