- 专利标题： AlN单晶薄膜生长方法及具有该薄膜的声表面波谐振器
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申请号： CN202010954072.5申请日： 2020-09-11
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公开(公告)号： CN112038217B公开(公告)日： 2021-07-16
- 发明人: 李红浪 , 柯亚兵
- 申请人： 广东广纳芯科技有限公司
- 申请人地址： 广东省广州市黄埔区开源大道136号D栋1004室
- 专利权人： 广东广纳芯科技有限公司
- 当前专利权人： 广东广纳芯科技有限公司
- 当前专利权人地址： 广东省广州市黄埔区开源大道136号D栋1004室
- 代理机构： 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 张鑫
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02
摘要：
本发明提出了一种AlN单晶薄膜的生长方法，在硅酸镓镧类单晶上生长AlN单晶薄膜，所述硅酸镓镧类单晶的取向相对于AlN单晶薄膜的[002]晶向的偏差角度在0°至27°范围内。该方法显著提高沉积的AlN单晶薄膜的质量，提高单晶衍射峰的半高宽和薄膜的均匀一致性，有利于提高器件的性能。
公开/授权文献
- CN112038217A AlN单晶薄膜生长方法及具有该薄膜的声表面波谐振器 公开/授权日：2020-12-04
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