Invention Publication
- Patent Title: 一种宽光学透过域的高镁含量MgAlON透明陶瓷及其制备方法
-
Application No.: CN202010331700.4Application Date: 2020-04-24
-
Publication No.: CN111704445APublication Date: 2020-09-25
- Inventor: 王皓 , 陈亮 , 宗潇 , 涂兵田
- Applicant: 武汉理工大学
- Applicant Address: 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号
- Assignee: 武汉理工大学
- Current Assignee: 武汉海凌汇智新材料有限公司
- Current Assignee Address: 430200 湖北省武汉市江夏区经济开发区大桥现代产业园何家湖街6号金地威新江夏智造园34栋内
- Agency: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司
- Agent 乔宇
- Main IPC: C04B35/115
- IPC: C04B35/115 ; C04B35/117 ; C04B35/622 ; C04B35/626 ; C04B35/64 ; C04B35/645
Abstract:
本发明涉及一种宽光学透过域的高镁含量MgAlON透明陶瓷及其制备方法。其为单相尖晶石型结构，结构式为 其中6≤x≤7.5，0.2≤y≤1.7、且x+y
Public/Granted literature
- CN111704445B 一种宽光学透过域的高镁含量MgAlON透明陶瓷及其制备方法 Public/Granted day:2023-03-24
Information query
IPC分类:
