本申请实施例提供一种氮化物外延片，包括衬底；成核层，形成于所述衬底上，所述成核层为氮化铝层或氮化镓层；二维材料层，形成于所述成核层上，所述二维材料层由多块小尺寸二维材料薄膜拼接形成，或者所述二维材料层由二维材料在所述成核层上原位生长形成；外延层，形成于所述二维材料层上，所述外延层的材质包括第三主族金属氮化物。通过在衬底上设置成核层，并通过拼接或原位生长的方式在成核层上形成二维材料层，能够有效缓解衬底和外延层之间由于晶格失配和热失配产生的应力，降低外延翘曲的发生，提高氮化物外延片的均匀性和可靠性。本申请实施例还提供一种氮化物外延片的制备方法和包含该氮化物外延片的半导体器件。