- 专利标题: 由铝电解槽产生的废碳化硅结合氮化硅侧块的处理方法
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申请号: CN202010514633.X申请日: 2020-06-08
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公开(公告)号: CN111646802B公开(公告)日: 2022-06-03
- 发明人: 焦庆国 , 汪艳芳 , 李昌林 , 柴登鹏 , 方斌 , 王韬略 , 罗丽芬
- 申请人: 中国铝业股份有限公司
- 申请人地址: 北京市海淀区西直门北大街62号
- 专利权人: 中国铝业股份有限公司
- 当前专利权人: 中国铝业股份有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区西直门北大街62号
- 代理机构: 北京华沛德权律师事务所
- 代理商 房德权
- 主分类号: C04B35/567
- IPC分类号: C04B35/567 ; C04B35/626 ; C25C3/06
摘要:
本发明公开了一种由铝电解槽产生的废碳化硅结合氮化硅侧块的处理方法,包括:将附着在废碳化硅结合氮化硅侧块上的电解质清除,获得预处理废碳化硅结合氮化硅侧块;将所述预处理废碳化硅结合氮化硅侧块粉碎,获得颗粒;将所述颗粒加入洗液进行一次洗涤,后固液分离,获得第一固体和第一液体;使用第一脱氟剂对所述第一固体进行二次洗涤,后固液分离,获得碳化硅与氮化硅固体和第二液体;所述第一脱氟剂为氧化钙、氢氧化钙和活性氧化铝的混合物,且所述氧化钙、氢氧化钙和活性氧化铝的质量比为:(6~8):(3~5):(1~2);本发明获得的废碳化硅与氮化硅固体中可溶氟含量
公开/授权文献
- CN111646802A 由铝电解槽产生的废碳化硅结合氮化硅侧块的处理方法 公开/授权日:2020-09-11
IPC分类: