本发明公开了半导体激光器、巴条及制作方法，其中，半导体激光器，包括：衬底；外延结构，覆盖于所述衬底的上表面；第一绝缘层，覆盖于所述外延结构的上表面，并在厚度方向开设有贯穿的电流注入窗口；第一电极，覆盖于所述第一绝缘层的上表面以及所述外延结构通过所述电流注入窗口外露的部分的上表面；第二绝缘层，在对应所述电流注入窗口位置处覆盖于所述第一电极的上表面，在所述第一绝缘层上的投影的外轮廓与所述电流注入窗口的边缘相对应，以使得所述第二绝缘层可以部分或全部地抵消所述第一绝缘层在所述电流注入窗口的边缘处对所述外延结构产生的应力。通过上述方式，本发明能够减小工艺过程中引入的应力对半导体材料造成的影响。