发明授权
- 专利标题： 半导体器件
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申请号： CN202010534610.5申请日： 2016-09-30
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公开(公告)号： CN111564444B公开(公告)日： 2024-03-05
- 发明人: 李起洪 , 李德仪
- 申请人： 爱思开海力士有限公司
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 爱思开海力士有限公司
- 当前专利权人： 爱思开海力士有限公司
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京三友知识产权代理有限公司
- 代理商 李辉; 刘久亮
- 优先权： 10-2016-0037710 2016.03.29 KR
- 主分类号： H10B41/27
- IPC分类号： H10B41/27 ; H10B41/35 ; H10B43/27 ; H10B43/35 ; H01L21/311
摘要：
一种半导体器件，该半导体器件包括：堆叠结构，该堆叠结构包括交替堆叠的导电层和绝缘层，每个导电层包括具有倾斜外表面的金属图案，倾斜外表面面向每个绝缘层的上表面或下表面，其中，倾斜外表面相对于每个绝缘层的上表面或下表面是倾斜的。
公开/授权文献
- CN111564444A 半导体器件 公开/授权日：2020-08-21
