发明授权
- 专利标题： 一种高集成密度半浮栅存储器及其制备方法
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申请号： CN202010400578.1申请日： 2020-05-13
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公开(公告)号： CN111564443B公开(公告)日： 2023-05-19
- 发明人: 朱宝 , 陈琳 , 孙清清 , 张卫
- 申请人： 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
- 申请人地址： 上海市杨浦区邯郸路220号;
- 专利权人： 复旦大学,上海集成电路制造创新中心有限公司
- 当前专利权人： 复旦大学,上海集成电路制造创新中心有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市杨浦区邯郸路220号;
- 代理机构： 上海正旦专利代理有限公司
- 代理商 陆飞; 陆尤
- 主分类号： H10B12/00
- IPC分类号： H10B12/00
摘要：
本发明属于集成电路存储器技术领域，具体涉及一种低高集成密度半浮栅存储器及其制备方法。本发明高集成密度半浮栅存储器采用双U型槽结构，分别形成浮栅晶体管和隧穿晶体管的沟道区域。该设计能够同时削弱浮栅晶体管和隧穿晶体管的短沟道效应，从而有利于存储器尺寸的不断缩小，进一步可以增大集成密度。同时，在浮栅晶体管的U型槽侧壁直接形成开口，使得浮栅可以直接与隧穿晶体管的沟道接触，有利于进一步增加集成密度。
公开/授权文献
- CN111564443A 一种高集成密度半浮栅存储器及其制备方法 公开/授权日：2020-08-21
