- 专利标题： 基于横向平移结晶法制备大尺寸Ce,Nd：YAG晶体的方法
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申请号： CN202010591640.X申请日： 2020-06-24
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公开(公告)号： CN111519242A公开(公告)日： 2020-08-11
- 发明人: 顾跃 , 毛世平 , 丁雨憧
- 申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
- 申请人地址： 重庆市南岸区南坪花园路14号
- 专利权人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
- 当前专利权人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
- 当前专利权人地址： 重庆市南岸区南坪花园路14号
- 代理机构： 重庆博凯知识产权代理有限公司
- 代理商 胡逸然
- 主分类号： C30B15/06
- IPC分类号： C30B15/06 ; C30B29/28
摘要：
本发明公开了基于横向平移结晶法制备大尺寸Ce,Nd：YAG晶体的方法，其具体的工艺过程包括配料、装炉、抽真空及充气、升温、引晶、晶体放肩生长、晶体等宽生长、降温及原位退火、取出晶体等9个过程。本发明利用横向平移结晶法，同时具有定向结晶法和垂直区熔法的优点，制备Ce,Nd:YAG晶体具有成本低、生长周期短、晶体质量高、产品均一性好、无核心侧心、产品利用率高等优势。
公开/授权文献
- CN111519242B 基于横向平移结晶法制备大尺寸Ce,Nd：YAG晶体的方法 公开/授权日：2021-07-20
IPC分类:
