- 专利标题: 一种硅酸铷非线性光学晶体的制备方法和用途
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申请号: CN202010493030.6申请日: 2020-06-03
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公开(公告)号: CN111501100B公开(公告)日: 2021-07-16
- 发明人: 潘世烈 , 黄述朝 , 杨云
- 申请人: 中国科学院新疆理化技术研究所
- 申请人地址: 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市北京南路40号附1号
- 专利权人: 中国科学院新疆理化技术研究所
- 当前专利权人: 中国科学院新疆理化技术研究所
- 当前专利权人地址: 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市北京南路40号附1号
- 代理机构: 乌鲁木齐中科新兴专利事务所
- 代理商 张莉
- 主分类号: G02F1/355
- IPC分类号: G02F1/355 ; C30B28/02 ; C30B15/00 ; C30B11/00 ; C30B29/34
摘要:
本发明涉及一种硅酸铷非线性光学晶体的制备方法和用途,该晶体分子式为Rb6Si10O23,分子量为1161.65,属正交晶系,空间群为Amm2,晶胞参数为:a=8.049(6)Å,b=16.227(13)Å,c=9.385(7)Å,Z=2,V=1225.8(16)Å3。采用熔体法中的提拉法或坩埚移动法生长晶体,获得具有厘米级的大尺寸硅酸铷非线性光学晶体,该晶体作为制备非线性光学器件倍频发生器的用途。该晶体具有生长速度快,生长过程操作简单,成本低,硬度高,物化性能稳定,透光波段宽,所制晶体尺寸大的优点。
公开/授权文献
- CN111501100A 一种硅酸铷非线性光学晶体的制备方法和用途 公开/授权日:2020-08-07