一种多波长激光器的制备方法，在一次生长过程中制备出复合波长多量子阱结构，因此不需要对单一波长的多量子阱发光结构或器件进行键合，即可产生复合波长的光输出，因此不存在键合金属层对光的反射，可消除因结构引起的光效率降低，在LD器件的应用中提高了发光效率。由于AlGaAs或AlGaInP材料的晶格与GaAs衬底材料的晶格常数相匹配，因此无应力波导层生长后无应力，其会抵消生长AlGaInAs第一量子阱发光区时产生的应力，同时也会抵消在其之上继续生长GaAsP第二量子阱发光区时产生的应力。无应力的AlGaInAs第一量子阱和GaAsP第二量子阱的晶体质量会更好，其发光的波长更加可控。电子与空穴复合机率变大，提高发光效率。