发明授权
- 专利标题: 一种磁化制备SEI膜的方法
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申请号: CN202010279822.3申请日: 2020-04-10
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公开(公告)号: CN111477967B公开(公告)日: 2022-01-11
- 发明人: 唐谊平 , 沈康 , 侯广亚
- 申请人: 浙江工业大学
- 申请人地址: 浙江省杭州市下城区潮王路18号
- 专利权人: 浙江工业大学
- 当前专利权人: 浙江工业大学
- 当前专利权人地址: 浙江省杭州市下城区潮王路18号
- 代理机构: 杭州杭诚专利事务所有限公司
- 代理商 尉伟敏
- 主分类号: H01M10/058
- IPC分类号: H01M10/058 ; H01M10/44 ; H01M10/0525
摘要:
本发明涉及新能源材料领域,尤其涉及一种磁化制备SEI膜的方法。所述制备方法包括以下制备步骤:将阴极片、阳极片和隔离膜组装为裸电芯,在裸电芯外包装外壳后注入电解液,静置至阴极片和阳极片均被充分浸润,得到预制电芯;将预制电芯置于化成机中化成,化成时对预制电芯施加磁场,在磁场作用下进行化成处理,化成处理结束后在阳极片表面形成SEI膜。通过本发明方法所制得的SEI膜用于电池中时,充放电效率、循环性能以及倍率性能均能够得到显著的优化提升。
公开/授权文献
- CN111477967A 一种磁化制备SEI膜的方法 公开/授权日:2020-07-31