一种聚碳硅烷不熔化预处理及其裂解转化三维陶瓷方法，涉及陶瓷材料制备。先合成三维碳化硅聚合物先驱体，在惰性气氛保护下高温裂解制备SiC(Al,rGO)p陶瓷颗粒，与先驱体粉末球磨混匀后烘干，压片成型后再次高温烧结得到3D‑SiC(Al,rGO)陶瓷，最后对陶瓷的表面形貌修饰。所述三维陶瓷材料含有Si、C、O、Al四种元素，Al以原子状态均匀分布于SiOxCy无定形相中，β‑SiC纳米晶镶嵌于复合rGO的SiOxCy/Cfree无定形相中，存在SiO2微晶。扩展先驱体的交联度与分子量以形成三维网络结构，减少裂解时小分子气体的蒸发，提高陶瓷断裂韧性与耐高温稳定性，满足高温等恶劣环境应用领域。