- 专利标题： 保护膜形成用复合片及带保护膜的半导体芯片的制造方法
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申请号： CN201980006068.1申请日： 2019-03-08
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公开(公告)号： CN111417513B公开(公告)日： 2022-06-03
- 发明人: 古野健太 , 米山裕之
- 申请人： 琳得科株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 琳得科株式会社
- 当前专利权人： 琳得科株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京路浩知识产权代理有限公司
- 代理商 张晶; 谢顺星
- 优先权： 2018-043567 20180309 JP
- 国际申请： PCT/JP2019/009449 2019.03.08
- 国际公布： WO2019/172439 JA 2019.09.12
- 进入国家日期： 2020-05-28
- 主分类号： B32B7/022
- IPC分类号： B32B7/022 ; B23K26/38 ; B23K26/53 ; C09J7/10 ; C09J201/00 ; H01L21/683
摘要：
本发明提供一种保护膜形成用复合片，其包含具有基材的支撑片、与所述支撑片上所具备的热固性保护膜形成用膜，该基材具有‑15℃下的损耗角正切(tanδ)为0.05以上、且80℃下的储能模量(G’)为35.0MPa以上的特性。
公开/授权文献
- CN111417513A 保护膜形成用复合片及带保护膜的半导体芯片的制造方法 公开/授权日：2020-07-14
