发明授权
- 专利标题: 低熔点合金半固态熔体制备工艺
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申请号: CN202010412775.5申请日: 2020-05-15
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公开(公告)号: CN111360214B公开(公告)日: 2020-11-13
- 发明人: 刘文 , 王涛 , 张海英 , 张池 , 王春鸽 , 于艳东 , 罗开臣 , 章翔宇 , 陈怡江
- 申请人: 浙大宁波理工学院
- 申请人地址: 浙江省宁波市高教园区钱湖南路1号
- 专利权人: 浙大宁波理工学院
- 当前专利权人: 浙大宁波理工学院
- 当前专利权人地址: 浙江省宁波市高教园区钱湖南路1号
- 代理机构: 宁波中致力专利代理事务所
- 代理商 张圆
- 主分类号: B22D1/00
- IPC分类号: B22D1/00 ; C22C1/00
摘要:
本发明公开了低熔点合金半固态熔体制备工艺,包括以下步骤:a.合金熔炼;将低熔点合金进行加热熔炼成半固态熔体;b.熔体射出;将半固态熔体通过喷射管进行喷出,所述喷射管通过摆动机构带动摆动,使得半固态熔体由所述喷射管摆动喷出;c.熔体搅拌;喷射管喷出的半固态熔体进入搅拌仓内,所述搅拌仓呈螺旋形,所述搅拌仓自上至下依次设有第一温控区域、第二温控区域、第三温控区域和第四温控区域,其中,第一温控区域低于合金固相温度,第二温控区域高于合金液相温度,第三温控区域位于合金固相温度和合金液相温度之间,所述第四温控区域为常温。本发明工艺步骤简单,操作方便,而且半固态合金存在成分均匀、晶核圆整度好。
公开/授权文献
- CN111360214A 低熔点合金半固态熔体制备工艺 公开/授权日:2020-07-03