发明公开
- 专利标题： 一种抑制闪烁噪声上变频过程的压控振荡器
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申请号： CN201811516669.0申请日： 2018-12-12
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公开(公告)号： CN111313836A公开(公告)日： 2020-06-19
- 发明人: 邓晓东 , 丁万新 , 杨峰 , 陶晶晶 , 陈东坡
- 申请人： 上海川土微电子有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区南汇新城镇环湖西二路888号
- 专利权人： 上海川土微电子有限公司
- 当前专利权人： 上海川土微电子有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区南汇新城镇环湖西二路888号
- 代理机构： 上海宏京知识产权代理事务所
- 代理商 崔巍
- 主分类号： H03B1/04
- IPC分类号： H03B1/04 ; H03B5/12
摘要：
本发明提供一种抑制闪烁噪声上变频过程的压控振荡器，涉及集成电路领域，所述振荡器包括与数字控制字输出端口连接的数字控制负阻单元、并联开关变容管阵列、谐振腔并联电容阵列，与数字控制负阻单元连接的固定负阻单元、谐振腔并联电感，所述数字控制负阻单元还与谐振腔并联电容阵列连接。本发明解决了现有技术中压控振荡器的近频相位噪声恶化的问题，使得本发明的压控振荡器与传统的传统压控振荡器相比近频相位噪声至少提高了6dB。
公开/授权文献
- CN111313836B 一种抑制闪烁噪声上变频过程的压控振荡器 公开/授权日：2023-08-11
