- 专利标题： 一种降低GaN衬底与外延层界面处Si浓度的方法
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申请号： CN201911117597.7申请日： 2019-11-15
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公开(公告)号： CN111180311B公开(公告)日： 2022-08-09
- 发明人: 刘新科 , 贲建伟 , 高博
- 申请人： 深圳第三代半导体研究院
- 申请人地址： 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1088号台州楼
- 专利权人： 深圳第三代半导体研究院
- 当前专利权人： 南方科技大学
- 当前专利权人地址： 518000 广东省深圳市南山区桃源街道学苑大道1088号
- 代理机构： 北京华创智道知识产权代理事务所
- 代理商 彭随丽
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02
摘要：
本发明提供一种降低GaN衬底与外延层界面处Si浓度的方法，包括S1.选取GaN同质衬底，对GaN衬底进行预处理以露出原子台阶形貌；S2.在外延系统中外延生长GaN基材料；S3.在不低于500℃下，持续通入保护气体对所述GaN基材料进行热处理以增大界面处原子扩散驱动力，利用该方法可有效降低GaN衬底与外延层界面处Si杂质浓度，降低基于此方法所制备器件的漏电流，有利于提升所制备器件性能。
公开/授权文献
- CN111180311A 一种降低GaN衬底与外延层界面处Si浓度的方法 公开/授权日：2020-05-19
IPC分类:
