本发明公开了一种正装LED芯片及其制作方法，所述芯片包括衬底、发光结构、电极结构、半遮挡金属层、保护层和反射层；所述发光结构设于衬底上，所述电极结构设于发光结构上，所述电极结构包括第一电极和第二电极，所述半遮挡金属层设于第二电极与发光结构之间，所述保护层覆盖在电极结构以外的发光结构和半遮挡金属层上，所述反射层设置在保护层上；所述半遮挡金属层由金属制成，其透光率为40％～60％；所述反射层由透光材料制成，其反射率为50％～80％；有源层发出的光经过半遮挡层和反射层出射，芯片轴向出光减少，发光角度增大。