本发明公开了一种半导体集成电路器件及其制造方法。其中，半导体集成电路器件包括：基板；在基板之上，并列有动态随机存取存储器(DRAM)单元和电阻式随机存取存储器(RRAM)单元；其中，DRAM单元和RRAM单元相互隔离，且DRAM单元的电容器与RRAM单元的可变电阻结构均采用金属‑绝缘体‑金属(MIM)结构，可使用相同的工艺和材料制备。如此，可将DRAM单元与RRAM单元以较为简易的生产工艺制备在同一块芯片上，既能减少数据传输损耗，还能节约空间，满足微缩化需求，从而大大提高了产品的性价比。