本发明提供基板处理装置、基板处理装置的电极以及半导体装置的制造方法，能够在维持基于等离子体电极的活性种生成能力的状态下进行均匀的基板处理。基板处理装置具有形成对基板进行处理的处理室的反应管、设置于反应管的外侧且对在上述处理室内形成等离子体的电极进行固定的电极固定夹具、以及设于上述电极固定夹具的外侧且加热上述反应管的加热装置，上述电极具有施加任意的电位的电极和赋予基准电位的电极，施加上述任意的电位的电极的表面积是赋予上述基准电位的电极的表面积的两倍以上。