本发明涉及一种GaAs基发光二极管芯片的切割方法，包括步骤如下：(1)在所述GaAs基发光二极管芯片外延层表面喷淋纯水，并在表面覆盖一张透明的白膜；(2)使用常规的芯片切割机进行切割；(3)将切割完成的芯片放入到盛满纯水的容器内，因开始表面已喷淋上纯水，利用纯水的张力，可简单地取下透明的白膜。本发明通过在GaAs基发光二极管芯片外延层表面喷淋上纯水，再在表面覆盖一张透明的白膜，再进行切割，这样既保证GaAs基发光二极管芯片发光区的完整性，且切割过程中与切割水隔离开避免切割水对芯片造成的影响，对切割水提纯的要求也较低大大降低了芯片的制造成本。