发明授权
- 专利标题: 一种高抑制小型化滤波器
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申请号: CN201911143117.4申请日: 2019-11-20
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公开(公告)号: CN110854490B公开(公告)日: 2021-08-13
- 发明人: 王文珠 , 佘文明 , 楼仲宇
- 申请人: 武汉凡谷电子技术股份有限公司
- 申请人地址: 湖北省武汉市江夏区光谷大道藏龙岛九凤街5号凡谷电子工业园4号楼2楼
- 专利权人: 武汉凡谷电子技术股份有限公司
- 当前专利权人: 武汉凡谷电子技术股份有限公司
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市江夏区光谷大道藏龙岛九凤街5号凡谷电子工业园4号楼2楼
- 代理机构: 武汉开元知识产权代理有限公司
- 代理商 黄行军
- 主分类号: H01P1/208
- IPC分类号: H01P1/208
摘要:
本发明实施例提供一种高抑制小型化滤波器,它包括介质基片和附着于介质基片上表面和下表面的金属镀层;所述介质基片被分隔成多个谐振腔,多个所述谐振腔连接形成滤波器主耦合通道;其中,至少一对非直接耦合的谐振腔间开设有耦合窗口,所述耦合窗口内的金属镀层上开设回形槽,所述回形槽两端分别延伸至耦合窗口两侧非直接耦合的两个谐振腔内。两个腔之间既存在正耦合又存在负耦合,非直接耦合腔之间窗口较小使得正耦合较小,由于设置回形槽,回形槽内的金属层与周围金属层独立未接触,从而形成负耦合零点。本发明能够通过设置负零点结构增强通带近端抑制,工艺实现简单且可靠性强。
公开/授权文献
- CN110854490A 一种高抑制小型化滤波器 公开/授权日:2020-02-28