发明授权
- 专利标题: 部分合金化的氧化锡纳米棒阵列超级电容器正极材料的制备方法
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申请号: CN201910994486.8申请日: 2019-10-18
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公开(公告)号: CN110767460B公开(公告)日: 2020-11-13
- 发明人: 彭志坚 , 王琪 , 田也 , 符秀丽
- 申请人: 中国地质大学(北京)
- 申请人地址: 北京市海淀区学院路29号
- 专利权人: 中国地质大学(北京)
- 当前专利权人: 中国地质大学(北京)
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区学院路29号
- 代理机构: 北京知呱呱知识产权代理有限公司
- 代理商 杜立军
- 主分类号: H01G11/24
- IPC分类号: H01G11/24 ; H01G11/28 ; H01G11/46 ; H01G11/30 ; C01G19/02 ; C23C18/12
摘要:
本发明涉及一种部分合金化的氧化锡纳米棒阵列超级电容器正极材料的制备方法,属于新能源材料制备及其应用技术领域。本发明提出的正极材料由生长在泡沫镍衬底上的、部分Sn‑Ni合金化的、缺氧型的氧化锡纳米棒阵列结构构成,可直接用作超级电容器工作电极,且电极比电容大,循环稳定性好,对人体无毒无害。所述方法首先以三水合锡酸钠和氢氧化钠为原料,采用溶剂热法在集流体泡沫镍衬底上生长出二氧化锡纳米棒阵列,然后在真空管式炉中在还原气氛中进行高温热处理,最终得到所述正极材料。该方法所得氧化锡纳米棒阵列结构产量大,组成和形貌可控;原材料、设备和工艺过程简单,成本低廉,生产过程安全、清洁、环保,有利于规模化生产。
公开/授权文献
- CN110767460A 部分合金化的氧化锡纳米棒阵列超级电容器正极材料的制备方法 公开/授权日:2020-02-07