- 专利标题: 具有中子吸收功能的含硼二维聚芳硫醚材料及制备方法
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申请号: CN201911009175.8申请日: 2019-10-23
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公开(公告)号: CN110724263B公开(公告)日: 2020-08-14
- 发明人: 严永刚 , 焦雪菲 , 任浩浩 , 李鹏程 , 严大卫 , 张刚 , 杨杰
- 申请人: 四川大学
- 申请人地址: 四川省成都市一环路南一段24号
- 专利权人: 四川大学
- 当前专利权人: 四川大学
- 当前专利权人地址: 四川省成都市一环路南一段24号
- 代理机构: 成都点睛专利代理事务所
- 代理商 刘文娟
- 主分类号: C08G75/029
- IPC分类号: C08G75/029 ; C08G75/0259 ; C08J5/18 ; C08L81/02 ; G21F1/10
摘要:
本发明涉及耐高温耐腐蚀具有中子吸收功能和防核辐射的二维聚芳硫醚材料及其制备方法,属于功能聚合物材料领域。本发明提供一种具有中子吸收功能的含硼二维聚芳硫醚材料,所述二维聚芳硫醚材料的结构式如式I所示,式I中,m1与m2的摩尔比为1~50:99~50。本发明所得耐高温耐腐蚀具有中子吸收功能和防核辐射的二维聚芳硫醚薄膜熔点大于280℃,200℃以下没有溶剂,其薄膜重叠到8CM厚度其快中子吸收系数为0.9,抗伽马射线可达109,其抗拉伸强度大于60MPa、抗弯曲强度达到80MPa,是一种具有吸收和屏蔽高能射线的新型特种高分子材料。
公开/授权文献
- CN110724263A 具有中子吸收功能的含硼二维聚芳硫醚材料及制备方法 公开/授权日:2020-01-24