发明授权
- 专利标题: 高跨导低输入电容轨到轨运放
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申请号: CN201911016065.4申请日: 2019-10-24
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公开(公告)号: CN110690865B公开(公告)日: 2020-11-13
- 发明人: 刘辉
- 申请人: 杭州雄迈集成电路技术股份有限公司
- 申请人地址: 浙江省杭州市富阳区银湖街道富闲路9号银湖创新中心9号楼四层
- 专利权人: 杭州雄迈集成电路技术股份有限公司
- 当前专利权人: 杭州雄迈集成电路技术股份有限公司
- 当前专利权人地址: 浙江省杭州市富阳区银湖街道富闲路9号银湖创新中心9号楼四层
- 代理机构: 杭州裕阳联合专利代理有限公司
- 代理商 姚宇吉
- 主分类号: H03F3/45
- IPC分类号: H03F3/45 ; H03F1/26 ; H03F1/56
摘要:
本发明公开了一种高跨导低输入电容轨到轨运放,涉及运算放大器技术领域。本发明包括NMOS管mn1~5、PMOS管mp1~7;mn2、mn3组成NMOS差分对;mp1、mp2组成PMOS差分对;mp3构成尾电流偏置;mn4、mn5组成电流镜。本发明通过在轨到轨输入的运放中,采用两级镜像运放,第一级是差分输入对,宽长比小,从第一级镜像到输出级时就进行电流倍数的放大,从而达到整个运放的等效输入跨导变大的目的,同时实现输入电容小的效果;在轨到轨输入的前提下,实现了高跨导的同时,运放的等效输入电容减小,这样对前级电路的负载就小,对前级电路的干扰就小;而且,等效输入电容小了,利于高频小信号的工作。
公开/授权文献
- CN110690865A 高跨导低输入电容轨到轨运放 公开/授权日:2020-01-14