本发明涉及一种不稳定的二维材料的半导体薄膜场效应管及其制备方法，由下至上依次包括硅片衬底、不稳定的二维材料、氧化铝薄膜、源极及漏极。本发明可以用较为简便的方法获得空气及溶剂中不稳定的二维材料，可以用微纳加工技术获得小尺寸的电子器件。同时，场效应迁移率可达到硬掩膜版法工艺的水平，且产量更高。对于InSe薄膜，最高场效应迁移率超过550cm2/Vs。器件沟道同时得到封装缓冲层的保护，在长达60天的空气环境中性能不下降。氧化铝封装缓冲层稳定且透明，可运用于进一步的光电微纳器件的制作。电滞后现象小(＜1V)。