- 专利标题: 一种一步结晶制备CsPbX3钙钛矿量子点薄膜的方法
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申请号: CN201910953500.X申请日: 2019-10-09
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公开(公告)号: CN110615466B公开(公告)日: 2020-10-02
- 发明人: 丁勇 , 刘成 , 戴松元 , 杨熠 , 刘雪朋 , 蔡墨朗
- 申请人: 华北电力大学
- 申请人地址: 北京市昌平区回龙观镇北农路2号
- 专利权人: 华北电力大学
- 当前专利权人: 华北电力大学
- 当前专利权人地址: 北京市昌平区回龙观镇北农路2号
- 代理机构: 北京高沃律师事务所
- 代理商 马云华
- 主分类号: C01G21/00
- IPC分类号: C01G21/00 ; C09K11/66 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00
摘要:
本发明提供了一种一步结晶制备钙钛矿量子点薄膜的方法,属于钙钛矿量子点材料技术领域。本发明以金刚烷甲胺和氢卤酸作为配体,先将卤化铯、卤化铅、配体与溶剂混合,得到前驱体溶液,再将前驱体溶液沉积于衬底上,加热后得到CsPbX3钙钛矿量子点薄膜。本发明以金刚烷甲胺和氢卤酸作为配体,能够迅速包覆钙钛矿并与CsPbX3钙钛矿发生配位,通过强立体效应,直接形成钙钛矿量子点;同时,本发明操作简单,成本低廉,能够通过一步结晶直接获得厚度>500nm的高质量钙钛矿量子点薄膜,所得钙钛矿量子点薄膜可重复率高,稳定性高,荧光性能好,晶粒分布均匀。
公开/授权文献
- CN110615466A 一种一步结晶制备CsPbX3钙钛矿量子点薄膜的方法 公开/授权日:2019-12-27
IPC分类: