- 专利标题: 一种反溶剂法制备硅酸锂包覆镍钴锰酸锂正极材料的方法
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申请号: CN201910837615.2申请日: 2019-09-05
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公开(公告)号: CN110518221B公开(公告)日: 2022-04-15
- 发明人: 郑俊超 , 刘洋 , 汤林波 , 贺振江 , 罗紫艳
- 申请人: 中南大学
- 申请人地址: 湖南省长沙市岳麓区麓山南路932号
- 专利权人: 中南大学
- 当前专利权人: 中南大学
- 当前专利权人地址: 湖南省长沙市岳麓区麓山南路932号
- 代理机构: 长沙星耀专利事务所
- 代理商 宁星耀; 宁冈
- 主分类号: H01M4/36
- IPC分类号: H01M4/36 ; H01M4/505 ; H01M4/525 ; H01M4/485 ; H01M4/58 ; H01M10/0525
摘要:
一种反溶剂法制备硅酸锂包覆镍钴锰酸锂正极材料的方法,包括以下步骤:(1)将氢氧化镍钴锰分散于含有硅源的水溶液中,加入锂源,搅拌,得悬浊液;(2)向悬浊液中加入无水有机溶剂,搅拌,使硅酸锂沉积于氢氧化镍钴锰表面,搅拌,蒸干,得粉末;(3)将粉末与锂源混合,烧结,得硅酸锂包覆的镍钴锰酸锂正极材料。本发明通过反溶剂法合成硅酸锂包覆镍钴锰酸锂正极材料,有效减小镍钴锰酸锂正极材料中的一次颗粒间间隙,空间结构布局更加合理,稳定性更强,且制备流程简单,成本低,适用于工业化生产。
公开/授权文献
- CN110518221A 一种反溶剂法制备硅酸锂包覆镍钴锰酸锂正极材料的方法 公开/授权日:2019-11-29