发明授权
CN110473670B 一种纳米导电膜的制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种纳米导电膜的制造方法
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申请号: CN201910616198.9申请日: 2019-07-09
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公开(公告)号: CN110473670B公开(公告)日: 2021-03-09
- 发明人: 姚仰荣 , 罗洪盛 , 周洹楷 , 何旭然 , 吴少英 , 易国斌 , 林霄峰 , 林文静 , 刘明慧
- 申请人: 广东工业大学
- 申请人地址: 广东省广州市大学城外环西路100号
- 专利权人: 广东工业大学
- 当前专利权人: 广东工业大学
- 当前专利权人地址: 广东省广州市大学城外环西路100号
- 代理机构: 广东广信君达律师事务所
- 代理商 黄李军
- 主分类号: H01B13/00
- IPC分类号: H01B13/00 ; H01B13/30
摘要:
一种纳米导电膜的制造方法,包括以下步骤:将导电物质的纳米材料溶解到溶剂中,并将纳米材料分散形成均匀的导电物质溶液;利用微孔滤膜对导电物质溶液进行抽滤,抽滤后导电物质附在微孔滤膜上;将附有导电物质的微孔滤膜进行常温风干或者低温烘干;待微孔滤膜完全干燥后,将附在微孔滤膜上的导电物质层从微孔滤膜上剥离即得到导电膜。本发明利用溶液自身的重力作用下,在微孔滤膜过滤并形成一张平整的导电膜,然后将该导电膜从微孔滤膜上剥离,可以极大缩短导电膜的干燥时间,并得到厚度较大的且不需衬底支撑的导电膜,形状保持完好,由于导电膜的厚度增加,使得导电性能增强。
公开/授权文献
- CN110473670A 一种纳米导电膜的制造方法 公开/授权日:2019-11-19