本发明的半导体装置的的制造方法，包括：溶解工序，将乳酸铝溶于水后制作水溶液；混合工序，制造水溶液与有机溶剂混合后的混合液，并制造含有混合液的半导体掺杂物液体源；涂布工序，在进行混合工序后，将含有水溶液的半导体掺杂物液体源涂布在半导体基板上，从而在半导体基板上形成扩散源覆盖膜；烧成工序，在进行涂布工序后，在第一气氛中，对半导体基板按第一温度进行加热处理，从而对扩散源覆盖膜中的至少有机溶剂进行烧成；以及扩散工序，在进行烧成工序后，在第二气氛中，对半导体基板按高于第一温度的第二温度进行加热处理，使扩散源覆盖膜中含有的铝在半导体基板上扩散，从而在半导体基板上形成扩散层。