本发明公开了一种集成的低电容ESD保护器件及其制备方法，该器件包括四个通道的低电容单向集成ESD保护器件，每个通道均由串联的低电容二极管D1和低电容二极管D2组成，该四个通道均与低电压二极管D3并联。该集成的低电容ESD保护器件的制备方法，包括以下步骤：P+衬底材料的制备；光刻及砷注入与退火；外延生长；光刻及硼注入与退火；光刻及STI隔离的制备；光刻及硼注入与退火；光刻及磷注入与退火；光刻接触孔；正面溅射金属；光刻形成正面金属区10；背面减薄；背面蒸银或者蒸金；真空合金。本发明将三颗芯片，二极管D1、D2、D3集成在一颗芯片上，同时满足高ESD泄放电流、低电容、低残压的性能要求。