- 专利标题: 一种基于磁性斯格明子的与逻辑门和与非逻辑门
- 专利标题(英): AND logic gate and NAND logic gate based on magnetic skyrmion
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申请号: CN201910419000.8申请日: 2019-05-20
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公开(公告)号: CN110233617A公开(公告)日: 2019-09-13
- 发明人: 晋芳 , 饶恒畅 , 赵植 , 董凯锋 , 宋俊磊 , 莫文琴
- 申请人: 中国地质大学(武汉)
- 申请人地址: 湖北省武汉市洪山区鲁磨路388号
- 专利权人: 中国地质大学(武汉)
- 当前专利权人: 中国地质大学(武汉)
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市洪山区鲁磨路388号
- 代理机构: 武汉知产时代知识产权代理有限公司
- 代理商 易滨
- 主分类号: H03K19/20
- IPC分类号: H03K19/20
摘要:
本发明公开了一种基于磁性斯格明子的与逻辑门和与非逻辑门,本发明将磁性斯格明子置于环形磁性赛道中,采用电压驱动的方式使斯格明子在磁性赛道中循环运动,并通过磁隧道结来读取斯格明子在磁性赛道中的状态,进而实现与门以及与非门的逻辑功能,保障了基于斯格明子的非门与门以及与使用时的稳定性。
公开/授权文献
- CN110233617B 一种基于磁性斯格明子的与逻辑门和与非逻辑门 公开/授权日:2020-10-30
IPC分类: