本申请实施例公开了一种发光二级管芯片及其制备方法，用以实现全彩显示。芯片包括：N型GaN掺杂层；分别在N型GaN掺杂层的第一面的三个子像素区域上形成的三个子像素结构，三个子像素结构中的每个子像素结构中均依次包含蓝光量子阱结构、界面阻挡层、绿光量子阱结构、电荷阻挡层和P型GaN掺杂层；在三个子像素结构之上分别形成的三个P型接触电极，以及在N型GaN掺杂层的第一面上除三个子像素区域之外的其他区域上形成的N型接触电极；在N型GaN掺杂层的第二面上、与三个子像素区域中的第一子像素区域对应的区域上形成的红光胶体量子点结构。