发明公开
- 专利标题: 一种石墨烯导电材料的制备方法
- 专利标题(英): Preparation method of graphene conductive material
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申请号: CN201910463248.4申请日: 2019-05-30
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公开(公告)号: CN110111952A公开(公告)日: 2019-08-09
- 发明人: 王奉瑾 , 戴雪青
- 申请人: 王奉瑾 , 戴雪青
- 申请人地址: 广东省中山市火炬开发区兴业路二号四层
- 专利权人: 王奉瑾,戴雪青
- 当前专利权人: 王奉瑾,戴雪青
- 当前专利权人地址: 广东省中山市火炬开发区兴业路二号四层
- 代理机构: 中山市铭洋专利商标事务所
- 代理商 邹常友
- 主分类号: H01B13/00
- IPC分类号: H01B13/00 ; H01B13/06 ; H01B5/14 ; H01B7/00 ; H01B7/02
摘要:
本发明提供了一种石墨烯导电结构体的制备方法,其通过反复依次涂覆、干燥石墨烯溶液和隔离溶液的方法,在基材里层外/上形成依次相互间隔的多重石墨烯层和多重隔离层,从而快速、简便的制备石墨烯导电结构体,且制得的石墨烯导电结构体具有强导电性,导电效率高,同时,为了防止某一层或多层的单重石墨烯膜断裂而造成无法导电,还在单重隔离绝缘膜上创造性地设计了导电桩位结构,将相隔离的两层单重石墨烯膜短路连接,保障其导电性能。
公开/授权文献
- CN110111952B 一种石墨烯导电材料的制备方法 公开/授权日:2021-08-31